کهکشان دانش: پژوهشگران دانشگاه تهران، راهكاري براي ساخت هاردديسك‌ها و سخت‌افزارهاي ذخيره اطلاعات با خواص مغناطيسي مطلوب‌ ارائه كردند.

سامان سالمي‌زاده كه از جمله اين پ‍ژوهشگران است گفت: از لايه‌هاي نازك مغناطيسي، مي‌توان براي ذخيره اطلاعات، جذب امواج ميكروويو و سنسور ابزارهاي نانومتري استفاده كرد. از اين ميان، لايه‌ نازك هگزافريت باريم با فرمول شيميايي BaFe12O19 است كه يك ماده مغناطيسي سخت بوده و مهمترين كاربرد آن در لايه‌هاي نازك به عنوان محيط ذخيره اطلاعات با دانسيته ذخيره اطلاعات بالاست.
سالمي‌زاده و همكارانش موفق به تهيه لايه‌هاي نازك مغناطيسي هگزافريت باريم نانوساختار به روش سل ژل، با خواص مغناطيسي مناسب براي پوشش‌دهي زيرلايه‌ها شده‌اند.
در اين پژوهش، ميزان pH سل، نوع حلال و عامل بازي سل، نسبت مولي Fe/Ba سل، دماي كلسيناسيون لايه نازك و اثر لايه مياني Al2O3 به عنوان پارامترهاي موثر در به دست آمدن لايه نازك هگزافريت باريم نانوساختار و تك‌فاز بررسي شده است. همچنين براي بهبود خواص مغناطيسي لايه نازك در جهت عمود بر سطح، از لايه مياني Al2O3 استفاده شده است.
لايه نازك نانوساختار و تك‌فاز هگزافريت باريم توليدي داراي ضخامت 152 نانومتر و اندازه دانه حدود 20 نانومتر است و خواص مغناطيسي بهتري در مقايسه با ساير تحقيقات مشابه داشته كه اين برتري به دليل ساختار نانومتري اين ماده است.
نتايج اين كار مي‌تواند در توليد سخت‌افزارهاي ذخيره اطلاعات (مانند هارد ديسك) با خواص مغناطيسي مطلوب‌تر استفاده شود.
جزئيات اين پژوهش كه با همكاري سيدعلي سيدابراهيمي انجام شده، در مجله Journal of Non-Crystalline Solids (جلد 355، صفحات985–982، سال 2009) منتشر شده است.