ترانزيستوري با سرعت 100 برابر ترانزيستورهاي معمولي شبيهسازي شد
کهکشان دانش- مجتبی گروسی: متخصصان نانو الكترونيك دانشگاه صنعتي خواجه نصيرالدين طوسي، به كمك روشهاي شبيهسازي، موفق به ارايه نانوترانزيستور جديدي شدند كه سرعتي بيش از صد برابر ترانزيستورهاي ماسفت دارد.فرشيد رئيسي، حسين شمسي و مينا اميرمزلقاني به اين موفقيت دست پيدا كردهاند و بخشي از نتايج كارشان را در مجله IEICE Electronics Express (جلد 6، صفحات 1586- 1582، سال 2009) منتشر كردهاند.
مينا اميرمزلقاني، دانشجوي دكتري الكترونيك گفت: از آنجايي كه در زمينهي ترانزيستورهاي نانومتري، دانش ساير كشورها به حد مطلوبي نرسيدهاست و بنيان علميدر اين زمينه در كشور ما و ساير كشورها يكسان است، بنابراين فرصت بسيار مناسبي براي رقابت و پيشرفت در اين زمينه وجود دارد و اين انگيزه اصلي بنده براي انجام اين پژوهش بودهاست.
وي افزود: در اين كار پژوهشي، ترانزيستوري جديدي در ابعاد نانومتر (طول كانال 75 نانومتر) ارايه شده كه سرعتي بيش از صد برابر ترانزيستور ماسفت(ترانزيستور اثر ميداني فلز- اكسيد- نيمههادي، MOSFET) دارد.
اميرمزلقاني خاطر نشان كرد: از اين نانوترانزيستور، ميتوان در ساخت قطعات ديجيتالي بهره گرفت.
وي براي انجام اين كار، ابتدا ترانزيستور FED را به كمك نرمافزار PISCES2B شبيهسازي كرده و سپس در نرمافزار SPICE مدلسازي كردهاست. در ادامه نيز مراحل مشابهي را براي يك ترانزيستور ماسفت در همان ابعاد انجام و نتايج را با يكديگر مقايسه كردهاست.
اميرمزلقاني در پايان گفت: اين كار در ايران در حد يك پروژه تحقيقاتي بوده ولي از جانب شركتهاي خارجي مورد استقبال قرار گرفتهاست، از جمله، يك شركت آلماني براي استفاده از اين ترانزيستور در الكترونيك صنعتي، اعلام آمادگي كردهاست.
اين پژوهش در قالب پاياننامه كارشناسي ارشد مينا اميرمزلقاني انجام شدهاست.
